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型号 IPI65R190CFD
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262
IPI65R190CFD PDF
代理商 IPI65R190CFD
标准包装 500
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 7.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4.5V @ 730µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1850pF @ 100V
功率 - 最大 151W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商设备封装 PG-TO262-3
包装 管件
其它名称 IPI65R190CFDXKSA1
SP000905386
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